新闻资讯-福建臻璟新材料科技有限公司

2026年03月31日

基于现阶段电子芯片的综合性能越来越高、整体尺寸越来越小的发展情况，电子芯片工作过程中所呈现出的热流密度同样大幅提升。对于电子器件而言，通常温度每升高10℃，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力成为发展功率器件的技术瓶颈。

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因碳热还原法难以实现氧化铝粉和碳粉的均匀混合，氧化铝的活性低，需要在高温氮气中进行长时间反应，生产成本较高。

氮化铝粉体具有高热导率等优点，被广泛认为是用于制备半导体功率器件用陶瓷基板的优良材料。氮化铝陶瓷比氧化铝陶瓷具有更高的热导率，在大功率电力电子等需要高热传导的器件中逐渐替代氧化铝陶瓷，应用前景广阔。

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