2026年04月30日

碳热还原法制备氮化铝粉体中,哪些添加剂能提高制粉率呢?

因碳热还原法难以实现氧化铝粉和碳粉的均匀混合,氧化铝的活性低,需要在高温氮气中进行长时间反应,生产成本较高。


2026年04月30日

制备高质量氮化铝陶瓷基板的关键点有哪些?

氮化铝粉体具有高热导率等优点,被广泛认为是用于制备半导体功率器件用陶瓷基板的优良材料。氮化铝陶瓷比氧化铝陶瓷具有更高的热导率, 在大功率电力电子等需要高热传导的器件中逐渐替代氧化铝陶瓷,应用前景广阔。


2026年04月30日

氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素:助剂、工艺及气氛

氮化铝陶瓷具备优异的综合性能,是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷,是高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料。


2026年04月30日

在半导体领域中炙手可热的氮化铝

化铝(AlN)具有高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数、与硅匹配好等特性,不但用作结构陶瓷的烧结助剂或增强相,尤其是在近年来大火的陶瓷电子基板和封装材料领域,其性能远超氧化铝。


2026年04月30日

氮化铝陶瓷基板加工技术的瓶颈超精密加工技术

氮化铝陶瓷具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。


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因碳热还原法难以实现氧化铝粉和碳粉的均匀混合,氧化铝的活性低,需要在高温氮气中进行长时间反应,生产成本较高。

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氮化铝粉体具有高热导率等优点,被广泛认为是用于制备半导体功率器件用陶瓷基板的优良材料。氮化铝陶瓷比氧化铝陶瓷具有更高的热导率, 在大功率电力电子等需要高热传导的器件中逐渐替代氧化铝陶瓷,应用前景广阔。

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