桂林氮化硅陶瓷基板
氮化硅陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩 擦系数小等诸多优异性能，是综合性能最好的陶瓷材料。与其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷具有耐高 温、超高的硬度和断裂韧性，所以在高频率振动或高温的条件下表现出优异的力学性能。因此被广泛应 用于航天航空、高铁、新能源汽车等领域，是绝缘栅双极晶体管(简称:“IGBT”)以及碳化硅功率模块(简 称:“SiC MOSFET"
● 在高温下具有高强度和断裂韧性；
● 具有极高的耐化学腐蚀性和良好的耐磨性能；
● 使用氮化硅陶瓷基板的设备还能进一步缩小体积；
● 散热系数高，热膨胀系数与芯片匹配，同时具有极高的耐热冲击性。
类别：
产品描述
性能指标 | Materials Properties
| 项目 Item | 单位 Unit | 指标值Value/Si3N4 |
| 颜色 Colour | - | 灰色 |
| 抗弯强度 Density | MPA | ≥700 |
| 杨氏模量 Young's modulus | GPA | 300±50 |
| 热导率 Thermal Conductivity | 25℃,w/(m-k) | >80 |
| 体积密度 Bulk Density | g/cm3 | >3.2 |
| 击穿强度 Breakdown Strength | KV/mm | >20 |
| 热膨胀系数 Coefficient of Thermal Expansion | 10-6/K(RT-400℃) | ≤2.7 |
| 断裂韧性 Fracture Toughness | MPa-m1/2 | >6.5 |
| 维氏硬度 Vickers hardness | GPA | ≥15 |
| 体积电阻率(25℃) Volume resistivity | Ω*cm | ≥10x1014 |
| 介电常数(1MHz) Dielectric constant | / | 9±1 |
| 介电损耗(1MHz) Dielectric loss | 10-3 | <0.001 |
| 粗糙度 Ra Surface Roughness Ra | μm | ≤0.7 |
| 翘曲度 Camber | Diagonal% | ≤0.25 |
产品规格 Specification
| 产品 Product | 厚度 Thickness | 长度 Length*Width |
| 氯化硅陶瓷基板 SiliconNitride CeramicSubstrate | 0.254mm | 190.5*138.0mm(±1%) 114.3*114.3mm(±1%) |
| 0.320mm | ||
| 0.635mm | ||
| 1.000mm |
优异性能 Excellent performance
产品应用 Main Application
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
IGBT全称绝缘栅双极型晶体管，是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件,具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，被誉为现代工业变流装置的“CPU”,在轨道交通、航空航天、新能源汽车、风力发电、国防工业等战略性产业广泛应用。IGBT模块所产生的热量主要是通过氮化硅陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的,因此氮化硅陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。
IGBT模块
SiC MOSFET（碳化硅功率模块)
SiC MOSFET(碳化硅功率模块)与传统的硅基IGBT模块相比，碳化硅功率模块具有低导通损耗、低开关损耗,应用于车载充电系统和电源转换系统,能够有效降低开关损耗、提高极限工作温度、提升系统效率。
SiC MOSFET(碳化硅功率模块)
