氮化铝陶瓷基板具有优良的导热性、较低的介电常数和介质 损耗,可靠的绝缘性能;优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀; 公司生产的氮化铝基板:具有优良的热学、力学、电学性能,高 导热率、高强度等优异特性。随着微电子设备的迅猛发展，高导 热氮化铝基板广泛应用于通讯器件、高亮度LED、电力电子器件等 行业，是一种性能优异的电子陶瓷材料 ● 热导率高,是氧化铝陶瓷的5-10倍，与氧化皱（BeO）相当，导热率可达200w 以上 ● 热膨胀系数(4.3×10^(-6)/K)与半导体硅材料(3.5-4.0×10^(-6) /K)匹配； ● 机械性能好,抗弯强度高于BeO陶瓷,接近氧化铝； ● 电性能优良,具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗； ● 电路材料的相容性好，可以进行多层布线,实现封装的高密度和小型化； ● 无毒，有利于环保。
氮化硅陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩 擦系数小等诸多优异性能，是综合性能最好的陶瓷材料。与其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷具有耐高 温、超高的硬度和断裂韧性，所以在高频率振动或高温的条件下表现出优异的力学性能。因此被广泛应 用于航天航空、高铁、新能源汽车等领域，是绝缘栅双极晶体管(简称:“IGBT”)以及碳化硅功率模块(简 称:“SiC MOSFET" ● 在高温下具有高强度和断裂韧性； ● 具有极高的耐化学腐蚀性和良好的耐磨性能； ● 使用氮化硅陶瓷基板的设备还能进一步缩小体积； ● 散热系数高，热膨胀系数与芯片匹配，同时具有极高的耐热冲击性。
高成形性，高流动性 适用于干压、半干压、冷等静压工艺
臻璟E级氮化铝高纯粉具备纯度高、金属杂质含量 低等优点，主要应用于HTCC多层陶瓷共烧、LED荧光 粉及透明陶瓷领域。
